蕪湖人本合金有限責任公司

因為偏釩酸銨在加熱分解的過程中，首先是還原為三氧化二釩，再氧化為五氧化二釩。

你說的情況，說明產品里面殘留的有未氧化的三氧化二釩，化驗的時候，又都折算為五氧化二釩了，所以含量就會超過100%。

解決的辦法是在煅燒的時候時間更長些，也有可能是粉末和空氣接觸不充分。

五氧化二釩納米顆粒的制備及其電化學性能研究

V2O5因具有理論容量大,放電平臺高,合成便捷,低成本等優點受到廣泛關注.但也存在一些弊端,如結構穩定性較差,電子離子的導電率較低,故在充放電過程中Li+的嵌入/脫出會導致V2O5層狀結構的坍塌,因此阻礙了它的實際應用.而將材料納米化,金屬陽離子摻雜可以有效地克服V2O5材料的上述缺點.本文制備出了純相的V2O5納米材料和金屬離子摻雜的V2O5納米材料,并對制備樣品的形貌結構,電化學性能進行了表征,還考察了金屬離子摻雜量對材料性能的影響.采用雙組份溶劑水熱法(溶劑由水和醇類組成),合成出了納米棒狀結構的V2O5.以XRD,SEM, CV和恒流充放電的表征方式對制備樣品進行了性能研究,主要探究水與乙醇的體積比,水熱溫度,填充比,水熱時間以及不同種類的溶劑對材料性能的影響,得到了的制備條件,如下所示:水與乙醇的體積比為1:0.5,水熱溫度為180℃,填充比為60%,水熱時間為24h,的溶劑為乙醇.并且此材料表現出了較好的電化學性能,有較好的可逆性和倍率性能以及循環性能,在充放電倍率為0.1c倍率下進行充放電測試,其放電比容可以達到250.01mAh/g.通過使用NH4VO3和HCl為原料合成出了納米棒狀結構的V2O5正極材料.

五氧化二釩薄膜原子層沉積制備及其光學與電學特性研究

通過對原子層沉積過程中生長條件和反應前驅體的控制,制備了厚度在納米級別可控的五氧化二釩薄膜,并實現了薄膜摻雜。同時研究了所制備超薄膜的光學和電學特性,為五氧化二釩超薄膜在光學器件和能量存儲等領域的應用奠定了材料基礎。本文主要研究內容和成果體現在以下幾方面:首先,通過改變生長條件對五氧化二釩薄膜的生長進行調節,研究了薄膜厚度、形貌、組分、晶體結構等基本特性。發現薄膜的生長模式屬于先層狀生長,再島狀生長的Stranski-Krastanov模式,分析并比較了兩種模式下薄膜形貌,生長速率,結構特性的區別,證明這兩種生長模式的差異是由五氧化二釩晶體趨向于沿[010]方向生長的特性決定的。