
五氧化二釩薄膜原子層沉積制備及其光學與電學特性研究
通過對原子層沉積過程中生長條件和反應前驅體的控制,制備了厚度在納米級別可控的五氧化二釩薄膜,并實現了薄膜摻雜。同時研究了所制備超薄膜的光學和電學特性,為五氧化二釩超薄膜在光學器件和能量存儲等領域的應用奠定了材料基礎。本文主要研究內容和成果體現在以下幾方面:首先,通過改變生長條件對五氧化二釩薄膜的生長進行調節,研究了薄膜厚度、形貌、組分、晶體結構等基本特性。發現薄膜的生長模式屬于先層狀生長,再島狀生長的Stranski-Krastanov模式,分析并比較了兩種模式下薄膜形貌,生長速率,結構特性的區別,證明這兩種生長模式的差異是由五氧化二釩晶體趨向于沿[010]方向生長的特性決定的。





五氧化二釩作為一種光電材料,在微波、儲能和各種各樣的光電裝置中得到了廣 泛的應用。五氧化二釩帶隙為2.2eV左右,在較寬光譜范圍內可以吸收太陽能。我國雖然釩 資源儲量豐富,但冶煉和提純技術與西方發達國家相比,仍存在很多不足,尤其是對純度、 納米微米結構的控制技術相對不足,尚不能滿足實際需求。 由于各大工業的發展,造成環境污染加劇,在環境保護中,吸附技術一直發揮著重 大作用。吸附主要是從氣體和液體介質中去除雜質、污染物,使污染物組分分離的一種方 法,的吸附劑制備,是吸附技術應用的關鍵之一。




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